СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ ТЕОРИИ СИЛОВЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
Аннотация:
Рассмотрены основные этапы перехода от первых германиевых транзисторов к современным сверхмощным кремниевым биполярным транзисторам. Проанализировано состояние теории процессов и модельных представлений выходных характеристик этих полупроводниковых приборов. Определены перспективные для дальнейшей разработки виды и типы транзисторов как на основе кремния, так и на основе широкозонных материалов. Приведены данные о неразрушающих методах и аппаратуре для измерения электрофизических параметров структур биполярных транзисторов с целью создания контролируемой технологии их изготовления. Выполнен анализ аппаратуры для измерения выходных характеристик транзисторов, в том числе сверхмощных, способных коммутировать импульсные мощности в диапазоне значений вплоть до 1 МВт. Сформулированы основные задачи, связанные с проблемой создания силовых биполярных транзисторов с качественно лучшим сочетанием выходных характеристик и намечены пути их решения.
Ключевые слова:
Постоянный URL
Статьи в номере
- ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОЭФФИЦИЕНТОВ ВЕКТОРНО-МАТРИЧНОГО ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОГО УРАВНЕНИЯ ЛИНЕЙНОЙ НЕПРЕРЫВНОЙ ЧАСТИ СИСТЕМЫ СО СТАТИЧЕСКИМ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕМ
- ДИАГНОСТИКА ПОТЕНЦИАЛЬНО ОПАСНЫХ ПРОЦЕССОВ
- СОГЛАСОВАННОЕ УПРАВЛЕНИЕ ЛИНЕЙНЫМ ОБЪЕКТОМ НА ЛИНЕЙНОМ МНОГООБРАЗИИ
- ОПТИМАЛЬНОЕ УПРАВЛЕНИЕ УГЛОВЫМ ДВИЖЕНИЕМ КОСМИЧЕСКОГО АППАРАТА ПРИ ОПЕРАТИВНОМ СБЛИЖЕНИИ С ОРБИТАЛЬНЫМ ОБЪЕКТОМ
- АВТОМАТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ОБЕЗВЕШИВАНИЯ КРУПНОГАБАРИТНЫХ ТРАНСФОРМИРУЕМЫХ КОНСТРУКЦИЙ ПРИ РАСКРЫТИИ
- ИЗМЕРЕНИЕ ВОЛНОВЫХ АБЕРРАЦИЙ ОПТИЧЕСКИХ СИСТЕМ ЦИФРОВЫМ ТЕНЕВЫМ МЕТОДОМ
- МОДЕЛИРОВАНИЕ ЦИФРО-АНАЛОГОВОГО ПРЕОБРАЗОВАНИЯ ЧАСТОТЫ В НОНИУСНОМ ТРАКТЕ ПРИВЕДЕНИЯ УМНОЖАЮЩЕГО КОЛЬЦА ИФАП
- КРИТЕРИИ ВЫБОРА ТЕХНОЛОГИИ ФОРМООБРАЗОВАНИЯ ОПТИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ ЛИНЗ ДЛЯ СУБМИЛЛИМЕТРОВОГО ДИАПАЗОНА СПЕКТРА
- АНАЛИЗ ВНУТРЕННЕГО ТРЕНИЯ МАТЕРИАЛОВ СИЛЬФОННЫХ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ СИСТЕМ УПРАВЛЕНИЯ