Например, Бобцов

СТАЦИОНАРНЫЕ РЕЖИМЫ УСИЛЕНИЯ СИЛОВЫХ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ МОДУЛЕЙ

Аннотация:

Предложена сравнительно простая аналитическая модель зависимостей коэффициента усиления по току от тока коллектора транзисторных модулей, изготовленных на основе приборов с одинаковыми (схема Дарлингтона) либо различными (комплементарная пара) типами проводимости. Определены условия работы транзисторов, составляющих эти модули. Показана возможность определения обобщенного электрофизического параметра эмиттерного перехода и времени жизни неосновных носителей заряда в базовых областях входных транзисторов модулей. Проведена сравнительная оценка представленных теоретических положений с результатами эксперимента. Модель приведена в виде, удобном для определения статических характеристик и других транзисторных модулей, например, составных транзисторов с дополнительной симметрией.

Ключевые слова:

Постоянный URL

Статьи в номере

Содержание © 1993–2024 Университет ИТМО
Разработка © 2015 Университет ИТМО