Журнал
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики
УДК:621.315.592; 621.382002
Номер:1 (83)
Скачать PDF0 Кбайт
Исследованы электрофизические параметры системы SiO2/Si после облучения импульсным иттербиевым волоконным лазером типа ИЛИ-1-50. Показано, что при воздействии лазерного излучения в системе кремний–окисел происходит образование дефектов, ответственных за появление различного рода зарядов. Обнаружено, что лазерно-индуцированные дефекты появляются и на участках, удаленных от зоны облучения. Установлено, что скорость генерации дефектов на границе раздела кремний–окисел зависит от их энергетического расположения в запрещенной зоне кремния и достигает максимального значения вблизи уровня Ферми.