Удвоение и смешение частот излучения лазеров на монооксиде углерода в нелинейных кристаллах ZnGeP2 и GaSe
Аннотация:
Экспериментально исследовано удвоение частоты излучения селективных и неселективных лазеров на монооксиде углерода в нелинейных кристаллах ZnGeP2 и GaSe. Получена внутренняя эффективность преобразования частоты до 7% с обогащением спектра преобразованных частот за счет параллельного процесса генерации суммарных частот. Обсуждается возможность создания методами нелинейной кристаллооптики широкодиапазонного источника когерентного излучения среднего инфракрасного и терагерцового диапазонов спектра на основе лазеров на монооксиде углерода.
Ключевые слова:
Постоянный URL
Статьи в номере
- Спектральное проявление поверхностного плазмонного резонанса в наноструктурах полипарафенилен-серебро
- Электрофизические явления при фемтосекундных воздействиях лазерного излучения на полупроводники
- Лазерная локация, космическая связь и поиск сигналов внеземных цивилизаций на длине волны излучения йодного фотодиссоционного лазера – 1,315 мкм
- Светодиодная система подсветки на основе модулей, формирующих равномерную освещенность гексагональной области
- Изготовление голограммных зеркал для системы ночного видения
- Оптические схемы измерения формы трехмерных объектов методом проекции полос
- Комплекс для люминесцентного анализа макро- и микрообразцов в ближнем инфракрасном диапазоне
- Измерение угла вращения плоскости поляризации методом дифференциальной поляриметрии с вращающимся анализатором
- Пуассоновская модель звездного неба и задача обнаружения звезд оптико-электронным прибором
- Влияние параметров схемы компенсации хроматической дисперсии на работу волоконно-оптической линии передачи
- Гамма-коррекция амплитудной характеристики видеотракта телевизионного пирометра
- Формирование защитных наноразмерных покрытий на основе Al2O3 (Al2O3-AlF3) на поверхности стекол
- Влияние технологических условий нанесения на свойства нанопленок системы Bi2O3-ТiO2-Fe2O3
- Особенности взаимодействия квантовых точек в системах CdSe и CdTe
- Применение метода В-сплайнов для расчета интегрально-оптического Х-разветвителя, изготовленного методом диффузии титана в подложку из ниобата лития
- Вениамин Васильевич Волков (к 90-летию со дня рождения)