Например, Бобцов

ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ В СТРУКТУРАХ InAs/AlSb В РЕЖИМЕ КВАНТУЮЩИХ МАГНИТНЫХ ПОЛЕЙ

Аннотация:

Выполнены исследования осцилляций поперечного магнитосопротивленияρxx(B) для образцов InAs/AlSb с различным уровнем легирования при температурах T=(4÷28)К. На основе анализа магнитополевой за- висимости амплитуды ρxx(B) установлена динамика формирования разрушения квантования Ландау. Вы- делены компоненты электрон-электронного, электрон-фононного взаимодействия и выполнены оценки вре- мен релаксации τq(τee,τe−ph). На основе физической модели взаимодействия электронов выявлена роль электрон-фононной релаксации как фактора, стабилизирующего процесс разрушения квантования Ландау. Экспериментальнаянелинейнаязависимость τq(T) объяснена рассеянием электронов на пьезоэлектрическом и деформационном потенциале акустических фононов и конкуренцией каналов внутриподзонного и межпод- зонного рассеяния. Установлена параметрическая зависимость квантового времени релаксации от магнитного поля τq ∝ B−0.6. 

Ключевые слова:

Статьи в номере