Например, Бобцов

Зависимость параметров паразитного наноструктурирования рельефно-фазовых голограммных структур на тонких пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника от высоты их рельефа

Аннотация:

Приведены результаты экспериментального исследования влияния высоты рельефа  отражательных рельефно-фазовых голограмм, получаемых на слоях халькогенидного стеклообразного полупроводника (ХСП), на параметры паразитной наноструктуризации  их поверхности. Работа выполнена с помощью сканирующего зондового микроскопа  Solver P-47. Установлена коротковолновая граница применимости отражательных  рельефно-фазовых голограмм, получаемых на тонких слоях ХСП без какой-либо апо- стериорной обработки, равная 80 нм. Начиная с нее, голограммы, характеризующиеся высотой рельефа, оптимальной с точки зрения максимальной дифракционной эффектив- ности, удовлетворяют по параметру среднеквадратичной шероховатости их поверхности  σ критериям Марешаля σ ≤ λ/27 и допустимого светорассеяния σ ≤ λ/100 и тем самым  обеспечивают в восстановленном с их помощью изображении допустимый для прецизионных оптических систем уровень светорассеяния и аберраций.

Читать текст статьи

Ключевые слова:

Статьи в номере