ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ КРИСТАЛЛОВ КТР, ПРИМЕНЯЕМЫХ В МОДУЛЯТОРАХ ТВЕРДОТЕЛЬНЫХ ЛАЗЕРОВ
Аннотация:
В работе представлены результаты исследований кинетики тока проводимости высокоомных кристаллов КТР с электрическим сопротивлением (1–5)×1010 Ом см, выращенных из растворов в фосфатном расплаве модифицированным методом Чох- ральского, в импульсном режиме. Установлено, что при включении электрическо- го поля происходит медленное нарастание импульса тока проводимости, длитель- ность фронта которого составляет порядка 5,2 мс. В электрооптических модуляторах Nd:YAG-лазеров, управляемых драйвером с импульсным смещением, длительность импульса смещения обычно лежит в диапазоне 50–300 мкс. В таком режиме ток про- водимости через высокоомные кристаллы КТР не превышает 100 нА и, как показали наши испытания на ресурс, практически нет ограничений использования модулято- ров на кристаллах КТР, связанных с их электрохромной деградацией.
Ключевые слова:
Постоянный URL
Статьи в номере
- ОЦЕНКА ХАРАКТЕРИСТИК ОПТИЧЕСКИХ МУЛЬТИПЛЕКСОРОВ НА БАЗЕ ИНТЕРФЕРОМЕТРА МАХА–ЦЕНДЕРА ДЛЯ ВОЛОКОННЫХ СИСТЕМ С ПЛОТНЫМ СПЕКТРАЛЬНЫМ УПЛОТНИТЕЛЕМ
- ИЗМЕНЕНИЕ ШЕРОХОВАТОСТИ ПОВЕРХНОСТИ CVD–ZnSe ПРИ МЕХАНИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕ В ЗАВИСИМОСТИ ОТ РАЗМЕРА ЗЕРНА СУСПЕНЗИИ
- ВЫБОР ОПТИМАЛЬНОЙ КОНСТРУКЦИИ ОПТИЧЕСКОГО ЗАТВОРА НА π-ЯЧЕЙКЕ
- ИЗМЕРЕНИЕ ИНСТРУМЕНТАЛЬНОЙ ПОЛЯРИЗАЦИИ, ВНОСИМОЙ КАТАДИОПТРИЧЕСКИМ ОБъЕКТИВОМ
- КОНЦЕПЦИЯ ПОСТРОЕНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ СХЕМЫ ПАНОРАМНОГО СТОКС-ПОЛЯРИМЕТРА ДЛЯ МАЛЫХ ТЕЛЕСКОПОВ
- ВЫБОР РАДИУСА ИСТОЧНИКА В ФАЗОВОКОНТРАСТНОМ МЕТОДЕ ФОРМИРОВАНИЯ РЕНТГЕНОВСКИХ ИЗОБРАЖЕНИЙ
- АВТОКОЛЛИМАЦИОННЫЙ НУЛЬ-ИНДИКАТОР: РАЗРАБОТКА И ПРИМЕНЕНИЕ В ДИНАМИЧЕСКОЙ ГОНИОМЕТРИИ
- ОПТИЧЕСКИЙ ЦИФРОВОЙ АВТОМАТИЗИРОВАННЫЙ ИЗМЕРИТЕЛЬ ОТКЛОНЕНИЙ ОТ ПРЯМОЛИНЕЙНОСТИ
- ТЕЛЕВИЗИОННАЯ АППАРАТУРА ДЛЯ РАБОТЫ В УСЛОВИЯХ ВЫСОКИХ РАДИАЦИОННЫХ ПОЛЕЙ
- МАТЕМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕГИСТРИРУЕМЫХ СИГНАЛОВ В МЕДИЦИНСКОЙ ЛАЗЕРНОЙ НЕИНВАЗИВНОЙ ФЛЮОРЕСЦЕНТНОЙ ДИАГНОСТИКЕ
- СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ КРИТЕРИЕВ УСТОЙЧИВОСТИ ИНТЕРФЕРЕНЦИОННЫХ ПОКРЫТИЙ
- НОВЫЙ МЕТОД ФОРМИРОВАНИЯ ЛИТОГРАФИЧЕСКОЙ МАСКИ ИЛИ РЕЛЬЕФА НЕПОСРЕДСТВЕННО В ПРОЦЕССЕ ЭЛЕКТРОННО-ЛУЧЕВОГО ЭКСПОНИРОВАНИЯ РЕЗИСТА