В докладе представлены к обсуждению результаты численного моделирования пикосекундного и фемтосекундного многоимпульсного лазерного облучения кремния в режимах микроструктурирования поверхности. Проведено сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными. Теоретически подтверждена возможность возбуждения поверхностных плазмон поляритонов и волноводных мод в кремнии при облучении фемтосекундным импульсом. Показано взаимовлияние процессов, происходящих в макросистеме – развитие и эволюция поверхностного рельефа от импульса к импульсу, и процессов, развивающихся в электронной подсистеме полупроводника. Теоретически подтверждено, что при длительности импульса 33 пс, которая является типичной для промышленных пикосекундных лазеров, невозможна реализация ни теплового, ни плазменного «поляритонного» механизма формирования ППС.