В работе проанализированы данные по 15 кристаллам, опубликованные в период с 2002 по 2016 гг. Известно, что эффективность лазерной генерации в условиях импульсной диодной накачки пропорциональна произведению σem*τ. Наилучшими показателями по данному параметру обладают кристаллы Nd:GdTaO4(GTO) и Nd:GYTO. Также данные кристаллы обладают большим сечением поглощения. Наибольшей полушириной линии поглощения в спектральной области 800-815 нм обладают кристаллы Nd:Na2La4 (23 нм), Nd:LiBaGd (19 нм). Для оценки эффективности свободной генерации рассматриваемых кристаллов при импульсной диодной накачке была разработана математическая модель на основе метода балансных (скоростных) уравнений. Согласно предварительным расчетам, эффективность генерации кристаллов Nd:GdTaO4, Nd:GYTO, Nd:Na2La4 и Nd:LiBaGd сравнима или превышает таковую для кристалла Nd:YAG.