<p>C каждым годом расширяется область применения полупроводниковых материалов в<br /> различных направлениях современной науки и индустрии. Нитрид галлия и разнообразные<br /> наноструктуры на его основе относятся к числу широкозонных полупроводниковых систем<br /> наиболее востребованных для прикладных и научных целей. Вследствие большой ширины<br /> запрещенной зоны, эти полупроводники могут быть использованы в качестве материала для<br /> создания УФ-лазеров и устройств, работающих при высоких температурах. В последние два<br /> десятилетия энергетическая структура и динамика носителей заряда в нитриде галлия<br /> интенсивно изучаются оптическими методами [1]. Большое количество работ посвящено<br /> изучению зависимости излучательных и транспортных свойств GaN от типа и уровня<br /> легирования (элементы II, IV и VI групп, группы железа и лантана и т.д.) [2–5]. Оптические<br /> свойства кристаллов GaN со структурой вюрцита определяются переходами между тремя<br /> валентными подзонами Г9 Г7 и Г7 и зоной проводимости Г6, которым соответствуют<br /> экситонные резонансы с большими силами осциллятора (экситоны A, B и C соответственно).<br /> Целью работы было изучение спектров экситонной люминесценции и спектров<br /> комбинационного рассеяния света (КРС) эпитаксиальных слоев GaN с различной<br /> концентрацией доноров (от 4,1·1016 до 4,8·1019 см–3).</p>