<p>Применение монолитных оптоэлектронных интегральных схем (МОЭИС) позволяет<br /> изготавливать более компактные оптические системы (по сравнению с системами на основе<br /> дискретных оптических компонентов), а также предоставляет возможность их интеграции с<br /> электронными схемами для миниатюризации многофункциональных оптико-электронных<br /> систем и приборов. В настоящее время МОЭИС реализованы в системе материалов A3B5<br /> [1, 2]. Реализация МОЭИС на основе кремния кардинально увеличит функциональность<br /> кремневой микроэлектроники и откроет совершенно новые области ее применения.<br /> Кремний, наиболее широко-распространенный полупроводниковый материал, имеет<br /> непрямую структуру энергетических зон, что делает получение светоизлучающих приборов<br /> на кремнии чрезвычайно сложной задачей.</p>