Например, Бобцов

Исследование вольт-фарадных характеристик структур Si/SiO2 с имплантированным кремнием в окисле

Сборник тезисов
Конференция:V Всероссийский конгресс молодых ученых
Раздел:Информационные и интеллектуальные системы и технологии
Рубрика:Информационная безопасность, проектирование, технология элементов и узлов компьютерных систем
Год:2016

Исследование вольт-фарадных характеристик структур Si/SiO2 с имплантированным кремнием в окисле

УДК:539.534.9

Аннотация

Исследование электрофизических свойств тонких пленок двуокиси кремния с частицами кремния, сформированными методом ионного легирования с последующим отжигом. Исследования проводились методом высокочастотных вольт-фарадных характеристик.

Материалы конференций