Увеличение прочности наноструктурного электротехнического сплава системы Al-Mg-Si за счет повышения плотности дислокаций

Сборник тезисов

Конференция:V Всероссийский конгресс молодых ученых

Раздел:Фотоника, наноматериалы и оптотехника

Рубрика:Наноматериалы, наноструктуры, нанотехнологии

Год:2016

Увеличение прочности наноструктурного электротехнического сплава системы Al-Mg-Si за счет повышения плотности дислокаций

Латынина Татьяна Андреевна, Мавлютов Айдар Марселевич

УДК:669-1, 537.9, 539.4, 537.312.9

Скачать PDF

Аннотация

В работе исследовано влияние дополнительной плотности дислокаций на микротвердость и электропроводность сплава системы Al-Mg-Si (сплав 6201), предварительно наноструктурированного ИПДК при температуре 230 оС. С целью повышения плотности дислокаций проводилась дополнительная обработка ИПДК на ¼, ½ и ¾ оборота при комнатной температуре, что соответствует степеням истинной деформации 6.55, 6.57 и 6.58. Определены параметры дополнительной обработки ИПДК при комнатной температуре, обеспечивающей максимальное увеличение микротвердости наноструктурного сплава системы Al-Mg-Si за счет введения дополнительной плотности дислокаций при сохранении и даже небольшом повышении уровня электропроводности.

Увеличение прочности наноструктурного электротехнического сплава системы Al-Mg-Si за счет повышения плотности дислокаций

Увеличение прочности наноструктурного электротехнического сплава системы Al-Mg-Si за счет повышения плотности дислокаций

Аннотация

Постоянный URL

Материалы конференций

Увеличение прочности наноструктурного электротехнического сплава системы Al-Mg-Si за счет повышения плотности дислокаций

Увеличение прочности наноструктурного электротехнического сплава системы Al-Mg-Si за счет повышения плотности дислокаций

Аннотация

Постоянный URL

Поделиться

Материалы конференций