Методами in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии (СВВ ОЭМ) и ex situ атомно-силовой микроскопии (АСМ) исследовано распределение концентрации адсорбированных атомов (адатомов) на круглых террасах поверхности Si(111) в температурном интервале T=1000–1100оC. Количественный анализ профиля концентрации адатомов позволил экспериментально определить длину диффузии и время жизни адатома до десорбции, их коэффициент диффузии и равновесную концентрацию вблизи ступени в исследованном диапазоне T. Полученные данные позволили оценить энергию активации поверхностной диффузии (1,3 эВ) и энергию формирования адатома при выходе из ступени (0,6 эВ) на поверхности Si(111)–(1×1).