Влияние условий обработки поверхности на собственную люминесценцию кристаллов CsI
Аннотация:
Показано, что при комнатной температуре люминесценция кристаллов CsI с дли- ной волны λem = 305 нм наблюдается при возбуждении в длинноволновой полосе экси- тонного поглощения при λex = 220 нм. Для возбуждения этой люминесценции вблизи поверхности необходим учет двух факторов при приготовлении образца. Во-первых, временной характер релаксации нарушенного слоя, во-вторых, проникновение туша- щих примесей в приповерхностный слой во время диффузионного выхода избыточного числа вакансий на свободную поверхность. Ранее собственную фотолюминесценцию кристаллов CsI наблюдали только в режиме двухфотонного поглощения, когда кри- сталл прозрачен к возбуждающему свету. Для минимизации числа дефектов в припо- верхностном слое предложена химическая полировка поверхности, которая проводится после релаксации нарушенного слоя.
Ключевые слова:
Постоянный URL
Статьи в номере
- Прохождение фемтосекундных лазерных импульсов через оптическое волокно
- Очистка произведений искусства из металла лазерным излучением на длинах волн 1,06 и 10,6 мкм
- Очистка произведений искусства из камня лазерным излучением на длинах волн 10,6 и 1,06 мкм
- Возможность реализации правдоподобных рассуждений методом голографии Фурье
- Современные тенденции создания оптических систем для инфракрасной области спектра
- Бленда-козырек пассивной криогенной системы охлаждения детектора для геостационарного спутника
- Применение ионной обработки в нанотехнологиях получения высокоточных поверхностей оптических деталей
- Влияние температуры и показателя преломления окружающей среды на спектральные характеристики волоконных длиннопериодных решеток с полимерным гофрированным покрытием
- Изгиб кварцевого волокна с неконцентричным защитным покрытием
- Атермальные фазовые направления в кристаллах бората бария
- Микромеханическая отражательная дифракционная решетка с изменяемым углом блеска