Например, Бобцов

ПРИМЕНЕНИЕ ЛАЗЕРНОГО РАСПЫЛЕНИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НАНОГЕТЕРОСТРУКТУР

Аннотация:

Лазерное распыление твердотельных мишеней в атмосфере водорода использовано при формировании полупроводниковых наногетероструктур. Введение в светоизлучающие структуры на основе системы InGaAs/GaAs примесей (Te или Mn) в виде дельта-легированных слоев, полученных путем лазерного распыления соответствующих мишеней в процессе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, позволяет управлять спектром и интенсивностью электролюминесценции. Снижение давления водорода в реакторе до 25–50 торр обеспечивает возможность лазерного нанесения при пониженных температурах эпитаксиальных слоев основного материала и получение полупроводников GaAs и InAs с высоким уровнем легирования марганцем, демонстрирующих ферромагнитные свойства при комнатной температуре.

Ключевые слова:

Статьи в номере