ИССЛЕДОВАНИЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ КОЭФФИЦИЕНТА ОТРАЖЕНИЯ ПРОСВЕТЛЯЮЩИХ ПОКРЫТИЙ НА ОПТИЧЕСКИХ ДЕТАЛЯХ МАЛОГО РАДИУСА
Аннотация:
Приведены результаты исследования распределения энергетического коэффициента отражения просветляющего покрытия по поверхности оптических элементов малого радиуса (2–12 мм). Определены факторы, влияющие на величину зоны поверхности оптического элемента, в которой энергетический коэффициент отражения постоянен. Для решения поставленных задач использованы основные положения теоретических моделей, которые описывают спектральные характеристики многослойных интерференционных покрытий. Относительный размер зоны просветления определен как отношение радиуса зоны поверхности оптического элемента, в котором отражение меньше некоторой величины, к его радиусу (ρ/r). Получено, что этот размер постоянен при разных значениях радиуса кривизны оптического элемента, изготовленного из одного материала. Его величина определяется показателем преломления материалов, из которых изготовлен оптический элемент (nm), и конструкцией просветляющего покрытия. Для однослойных покрытий эта величина составляет ρ/r = 0,5 при nm = 1,51 и ρ/r = 0,73 при nm = 1,75, для двухслойных покрытий ρ/r = 0,35 при nm = 1,51 и ρ/r = 0,41 при nm = 1,75. Показано, что с увеличением значений показателя преломления подложки размер зоны минимального коэффициента отражения увеличивается. В работе рассмотрены однослойные, двухслойные, трехслойные и пятислойные структуры просветляющих покрытий. Результаты исследования позволяют сделать вывод, что для получения равномерного отражения от всей поверхности оптического элемента малого радиуса нельзя формировать на его поверхности равнотолщинные покрытия, а следует искать распределение толщины слоя, которое обеспечит равномерное отражение излучения во всех точках сферической поверхности.
Ключевые слова:
Постоянный URL
Статьи в номере
- МЕТОДЫ И УСТРОЙСТВА ИЗМЕРЕНИЯ ТЕРМОЭДС И ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТИ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ ПРИ ВЫСОКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
- ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ДВУЛУЧЕПРЕЛОМЛЕНИЯ НА КАЧЕСТВО ИЗОБРАЖЕНИЯ ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКИХ СИСТЕМ ПРИ ЧАСТИЧНО КОГЕРЕНТНОМ ОСВЕЩЕНИИ
- МОДЕЛИРОВАНИЕ И ИССЛЕДОВАНИЕ КРАЕВОГО ЭФФЕКТА ПРИ РАБОТЕ С ТРЕХКРИСТАЛЬНЫМИ RGB-СВЕТОДИОДАМИ
- ДИСТАНЦИОННЫЙ МЕТОД КОНТРОЛЯ ТЕМПЕРАТУРЫ ГАЗА ДЛЯ ПРОМЫШЛЕННЫХ КАМЕР СГОРАНИЯ
- УСОВЕРШЕНСТВОВАННЫЙ ПОРТАТИВНЫЙ РАМАНОВСКИЙ АНАЛИЗАТОР ДЛЯ АНЕСТЕЗИРУЮЩИХ ГАЗОВЫХ СМЕСЕЙ
- КОМПЕНСАЦИЯ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ ВЫХОДНОГО СИГНАЛА В СХЕМЕ ГОМОДИННОГО ПРИЕМА СИГНАЛА ФАЗОВЫХ ВОЛОКОННО-ОПТИЧЕСКИХ ДАТЧИКОВ
- ОПТИЧЕСКИЕ ПОТЕРИ ПРИ ИЗГИБЕ ОДНОМОДОВОГО МИКРОСТРУКТУРИРОВАННОГО СВЕТОВОДА С БОЛЬШОЙ СЕРДЦЕВИНОЙ
- ЗАЩИТНЫЕ ПОКРЫТИЯ ВОЛОКОННОЙ РЕШЕТКИ БРЭГГА ДЛЯ УМЕНЬШЕНИЯ ВЛИЯНИЯ МЕХАНИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ НА ЕЕ СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
- ДВУХДВИГАТЕЛЬНОЕ УПРАВЛЕНИЕ УГЛОМЕСТНОЙ ОСЬЮ ДВУХАПЕРТУРНОГО ПРЕЦИЗИОННОГО ТЕЛЕСКОПА
- ЭЛЕКТРОНОГРАФИЧЕСКОЕ ИЗУЧЕНИЕ СТРУКТУРЫ ГРАФЕНОВЫХ СЛОЕВ НА ПРОВОДЯЩЕЙ И ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕЙ ПОДЛОЖКАХ 6H-SiC(0001)
- SAXSEV 2.1 КРОССПЛАТФОРМЕННОЕ ПРИЛОЖЕНИЕ ДЛЯ АНАЛИЗА ДАННЫХ РЕНТГЕНОВСКОГО МАЛОУГЛОВОГО РАССЕЯНИЯ ОТ ПОЛИДИСПЕРСНЫХ СИСТЕМ
- НОВЫЙ МЕТОД БИОТЕСТИРОВАНИЯ С ПРИМЕНЕНИЕМ СОВРЕМЕННЫХ ИМПЕДАНСНЫХ ТЕХНОЛОГИЙ
- МОНИТОРИНГ ПОТРЕБЛЕНИЯ ЭНЕРГИИ В УМНЫХ СЕТЯХ ЭЛЕКТРОСНАБЖЕНИЯ (SMART GRID) НА ОСНОВЕ СЕМАНТИЧЕСКОГО АНАЛИЗА ПОТОКОВЫХ ДАННЫХ
- МЕТОДЫ ПЕРЕДАЧИ ПОЛИМОДАЛЬНОЙ ИНФОРМАЦИИ
- ОПТИМИЗАЦИЯ ПЕРИОДИЧНОСТИ КОНТРОЛЯ ЗАЩИЩЕННОСТИ КОМПЬЮТЕРНЫХ СИСТЕМ
- МОДЕЛЬ ОБЕСПЕЧЕННОСТИ СТРАТЕГИИ РАЗВИТИЯ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ В ОРГАНИЗАЦИИ
- МЕТОДЫ РЕШЕНИЯ ЗАДАЧИ ЛИНЕЙНОГО ПРОГРАММИРОВАНИЯ С ДОПОЛНИТЕЛЬНЫМИ ОГРАНИЧЕНИЯМИ НА ПЕРЕМЕННЫЕ ОПРЕДЕЛЕННОГО ТИПА
- ИНТЕРВАЛЬНАЯ АДДИТИВНАЯ КУСОЧНО-ПОЛИНОМИАЛЬНАЯ ВРЕМЕННАЯ МОДЕЛЬ ДЕЯТЕЛЬНОСТИ ЧЕЛОВЕКА-ОПЕРАТОРА В КВАЗИСТАТИЧЕСКОЙ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ СРЕДЕ
- ОТРАЖЕНИЕ КОСОГО СКАЧКА УПЛОТНЕНИЯ ОТ СТЕНКИ
- ОПТИМИЗАЦИЯ ЗОНЫ ПОКРЫТИЯ СЕТИ СОТОВОЙ СВЯЗИ НА ОСНОВЕ МАТЕМАТИЧЕСКОГО ПРОГРАММИРОВАНИЯ
- ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ ВСТРЕЧНЫХ СКАЧКОВ УПЛОТНЕНИЯ
- КОМПАКТНОЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЕ МАТРИЦЫ ПРИОРИТЕТОВ БОЛЬШОЙ РАЗМЕРНОСТИ
- МЕРИДИОНАЛЬНАЯ КОМА ОТРИЦАТЕЛЬНЫХ АНАСТИГМАТИЧЕСКИХ ЛИНЗ ПРИ КОНЕЧНОМ ПОЛОЖЕНИИ ПРЕДМЕТА
- ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК СУЛЬФИДА КАДМИЯ ВО ФТОРОФОСФАТНЫХ СТЕКЛАХ