Журнал
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики
УДК:
Номер:4 (10)
Скачать PDF0 Кбайт
Исследование МОП-структур с окислами, полученными при различных режимах окисления
Аннотация:
Термический оксид кремния представляет собой один из основных материалов, применяющихся в современной микроэлектронике. Он используется в качестве маски при проведении процессов диффузии, выполняет функции диэлектрика в МОП- структурах, изолятора в КСДИ-структурах и многослойной коммутации и др. Особенные жесткие требования к качеству предъявляются к термическому окислу, применяемому в качестве подзатворного диэлектрика в МОП и КМОП интегральных микросхемах. При термическом окислении кремния одновременно происходит формирование межфазной границы Si-SiO2. Именно электрофизические параметры окисла и границы интерфейса Si-SiO2 являются главными факторами, определяющими работу и надежность функционирования КМОП ИМС.
Ключевые слова:
Постоянный URL
Статьи в номере
- АЛГОРИТМ КОМПЕНСАЦИИ ВНЕШНИХ ДЕТЕРМИНИРОВАННЫХ ВОЗМУЩЕНИЙ: ОПЕРАТОРНЫЙ МЕТОД СИНТЕЗА
- Разработка математической модели инжекторного двигателя
- Измерительная система для учебно-исследовательского комплекса "Мобильные роботы"
- Анализ процессов в системах с модуляцией – демодуляцией при внешнем конечномерном воздействии, с использованием кронекеровского модельного представления
- Резидентное и инструментальное ПО промышленных контроллеров сетевого ввода/вывода
- Концепция построения интегрированной информационной системы управления региональной системой образования
- Алгоритмы выбора соединений в ПЛИС
- Сжатие изображений на основе выделения локальных однородных областей
- Модель абстрактных функциональных блоков
- Тестирование и анализ распределенных информационных систем, разработанных по технологии J2EE
- Проблемы тестирования системного программного обеспечения распределенных информационно-управляющих систем
- Применение технологии OPC
- Сравнение архитектур построения серверов мультимедиа
- Расширение возможностей лабораторного комплекса SDK-1.1
- Оптимизация конфигурируемых параметров маршрутизатора
- Разделение системных и прикладных задач при разработке информационно-управляющих систем
- Оптимизация работы дисковой подсистемы сервера мультимедиа
- Метрики в современном тестировании
- Использование стандартных библиотек во встроенных системах (на примере стандартной библиотеки языка C++)
- Технологии повторного использования и реинжиниринга и системы реального времени
- Создание виртуальной лаборатории проектирования тестового обеспечения
- Применение кватернионов для моделирования зеркальных систем в динамике
- Единый информационный комплекс предприятия в технологической подготовке и производстве
- Разработка технологии изготовления алюминиевых отливок сложных тонкостенных деталей способом вакуумно-пленочной формовки
- Автоматизированная система мониторинга электромагнитных полей
- Исследование структурных дефектов межслойной изоляции в КМОП ИС
- Исследование пробивных напряжений межслойной изоляции в КМОП ИС
- Применение САПР P-CAD-2001 при проектировании печатных плат
- Исследование структур типа Siп/к -SiO2-Si с окислами, полученными в различных режимах окисления
- Оценка существующих методов отработки и проверки КБО гражданских самолетов
- Проблемы надежности магнитоуправляемых контактов в системах управления
- Создание библиотеки конечных элементов в приложении к пластинам и мембранам
- Исследование надежности сильфонных упругих элементов коммутационной техники
- Алгоритмическое моделирование цифрового фильтра
- Исследование эффективности применения искусственных нейронных сетей для выделения гладкой составляющей сигнала тока в электроприводе
- Влияние частоты дискретизации на устойчивость цифровой системы автоматического регулирования тока с широтно-импульсным преобразователем
- Моделирование электромагнитных процессов в силовых цепях n-модульных импульсных источников тока программируемой формы
- Анализ электромагнитных процессов при включении активных выпрямителей напряжения в питающую сеть