Например, Бобцов

ЛУЧЕВАЯ ПРОЧНОСТЬ НАНЕСЕННЫХ НА ПОГЛОЩАЮЩУЮ ПОДЛОЖКУ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ОТРАЖАЮЩИХ ПОКРЫТИЙ

Аннотация:

Выявлены особенности покрытий HfO2/SiO2 и Ta2O5/SiO2, нанесенных на поглощающую подложку из монокристаллического карбида кремния (SiC), вызывающие снижение их лучевой прочности. Экспериментально показано, что вследствие поперечных микросмещений пучка в процессе измерений лучевая прочность образца снижается до 2—3 раз. С использованием уравнения тепло-проводности и метода конечных элементов в системе CAE (computeraided engineering) проведено моделирование воздействия лазерного излучения с поперечным смещением пучка, а также рассчитана динамика изменения температуры и наводимых термоиндуцированных напряжений внутри вышеупомянутых образцов.

Ключевые слова:

Постоянный URL

Статьи в номере

Содержание © 1993–2024 Университет ИТМО
Разработка © 2015 Университет ИТМО