Например, Бобцов

Моделирование анизотропности температурного поля объемных интегральных микросхем

Аннотация:

Рассмотрен статистический метод анализа температурной стабильности электронных устройств. Показано, что на основе факторного эксперимента воз-можно получение уравнение температурной погрешности, в котором устанавливается функциональная взаимосвязь между факторами (температурой электрорадиоизделий) и выходным параметром электронного устройства. Поскольку в условиях пространственной структуры объемных интегральных схем объединение электрорадиоизделий возможно не только планарно, но и на разных уровнях, введено понятие „объемная локальная группа“. Показано, что для этого предварительно необходимо найти распределение температурного поля для пространственной структуры объемной интегральной схемы. Наибо-лее эффективным методом нахождения температурного поля в настоящее время признан метод конечных элементов как разновидность численных методов решения дифференциального уравнения теплопроводности. Представлены результаты моделирования температурной стабильности для импульсного усилителя мощности, реализованного в виде трехслойной структуры объемной интегральной схемы.

Ключевые слова:

Постоянный URL

Статьи в номере

Содержание © 1993–2024 Университет ИТМО
Разработка © 2015 Университет ИТМО