![Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики](/images/mag-ntv.png)
Журнал
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики
УДК:
Номер:2 (18)
Скачать PDF0 Кбайт
Проведен анализ физических процессов при включении транзистора в преобразовательном каскаде с дросселем насыщения в цепи фиксирующего диода. Определены интервал рассасывания диода и величина энергии потерь в транзисторе при различных режимах включения. Показано, что за счет использования дросселя насыщения энергия потерь может быть уменьшена более чем вдвое.