Журнал
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики
УДК:
Номер:4 (38)
Скачать PDF0 Кбайт
Явление изменения свойств оптических материалов под воздействием лазерного излучения может быть использовано для создания оптической памяти, волноводов, устройств экспресс-анализа (lab-on-a-chip), а также элементов интегральной оптики. В наших экспериментах структурные изменения индуцировались в образцах аморфных полупроводников под воздействием фемтосекундного лазерного излучения. Полу- чены зависимости диаметра волноводных структур от условий лазерного воздействия (мощность лазер- ного излучения, скорость сканирования, число сканирований).