Журнал
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики
УДК:
Номер:8 (31)
Скачать PDF0 Кбайт
Предложена методика оценки электронных параметров (величины матричного элемента оператора квазиимпульса, эффективной массы электронов, положения уровня Ферми) бесщелевых полупроводников в рамках классического описания области пространственного заряда при комнатной температуре. Получен критерий ее применимости. Проведена оценка электронных параметров и определен критерий точности методики для бесщелевого соединения HgSe.