Журнал
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики
УДК:681.382.2
Номер:5 (69)
Скачать PDF0 Кбайт
Исследованы характеристики полупроводниковых эпитаксиальных p-i-n структур на основе GaAs, выращенных методом газофазной эпитаксии. Разработаны новые условия эпитаксиального роста, позволяющие изготовить «толстые» слои чистого GaAs в рамках одного процесса.