НАНЕСЕНИЕ ТОНКИХ ПЛЕНОК СИЛИЦИДОВ МЕТАЛЛОВ МЕТОДАМИ PLD И LIFT
Аннотация:
Для осаждения тонких пленок и слоев использованы импульсное лазерное осаждение и лазерно-индуцированный перенос пленок. Излучением KrF-лазера произведена абляция материала мишени из CrSi2 или β-FeSi2 с целью получения тонкой пленки или слоя силицида с малой шириной запрещенной зоны для последующего использования в качестве чувствительного элемента сенсора.
Ключевые слова:
Постоянный URL
Статьи в номере
- ЛАЗЕРНО-ИНДУЦИРОВАННЫЕ ВОЛНЫ ПРОСВЕТЛЕНИЯ И ПОТЕМНЕНИЯ В СТЕКЛОКЕРАМ
- МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ОБРАЗОВАНИЯ НАНОКЛАСТЕРОВ И ИХ НАПЫЛЕНИЯ НА ПОДЛОЖКУ ПРИ ИМПУЛЬСНОЙ ЛАЗЕРНОЙ АБЛЯЦИИ МЕТАЛЛОВ
- АНАЛИЗ СВОЙСТВ СТЕКЛА ПРИ ЛАЗЕРНОМ ВОЗДЕЙСТВИИ НА ОСНОВЕ МОДЕЛИ „ЖИДКОСТЬ—ДЕФОРМИРОВАННЫЙ ВАКАНСИЯМИ КРИСТАЛЛ“
- ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСНЫХ ВЕЩЕСТВ НА КРИСТАЛЛИЗАЦИОННУЮ АКТИВНОСТЬ СТЕКЛООБРАЗНЫХ МАТЕРИАЛОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
- ЛАЗЕРНАЯ ОЧИСТКА ПОВЕРХНОСТЕЙ МЕТАЛЛОВ: ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ И ПРИМЕНЕНИЕ
- УПРАВЛЕНИЕ ФОРМИРОВАНИЕМ МИКРОСТРУКТУРЫ ПРИ СВЕТОЛАЗЕРНОЙ ОБРАБОТКЕ СТАЛИ
- ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОЦЕССА ЛАЗЕРНОГО ТЕРМОРАСКАЛЫВАНИЯ
- МЕТОД ИЗМЕРЕНИЯ ФОРМЫ ИМПУЛЬСА И ПРОФИЛЯ ПУЧКА ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
- ОПТИЧЕСКИЙ ТРАКТ ЛАЗЕРНОГО КОМПЛЕКСА ДЛЯ ПРЕЦИЗИОННОГО МИКРОПРОФИЛИРОВАНИЯ КРУПНОГАБАРИТНЫХ ИЗДЕЛИЙ ПРОИЗВОЛЬНОЙ ФОРМЫ
- ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНФИГУРАЦИИ АПЕРТУРЫ БЛИЖНЕПОЛЬНЫХ ОПТИЧЕСКИХ ЗОНДОВ ПО РАСПРЕДЕЛЕНИЮ СВЕТОВОГО ПОЛЯ В ДАЛЬНЕЙ ЗОНЕОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНФИГУРАЦИИ АПЕРТУРЫ БЛИЖНЕПОЛЬНЫХ ОПТИЧЕСКИХ ЗОНДОВ ПО РАСПРЕДЕЛЕНИЮ СВЕТОВОГО ПОЛЯ В ДАЛЬНЕЙ ЗОНЕ
- СИСТЕМА МОНИТОРИНГА ПРОЦЕССА СЕЛЕКТИВНОГО ЛАЗЕРНОГО СПЕКАНИЯ