Журнал
ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ «ПРИБОРОСТРОЕНИЕ»
УДК:621.373.826
Номер:9 (56)
Скачать PDF507 Кбайт
Экспериментально исследован процесс обратного ВКР-преобразования излучения субнаносекундного микрочип-лазера cдиодной накачкой и пассивной модуляцией добротности. В кристалле нитрата бария достигнута эффективность обратного ВКР-преобразования выше 50 % и коэффициент компрессии импульса во времени, равный 6,4. Предложена схема дополнительного усиления первой стоксовой компоненты при „кегельном“ режиме генерации излучения микрочип-лазера.