
Журнал
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики
УДК:621.383.5
Номер:4 (74)
Скачать PDF0 Кбайт
Рассмотрено влияние пленки пористого кремния, сформированной методом анодного электрохимического травления p-области, на спектральную характеристику кремниевого фотодиода. Показано, что созданный слой пористого кремния приводит к существенному увеличению спектральной чувствительности во всей области спектра. Наблюдается изменение спектральной чувствительности фотодиода во времени.