<p>Прямозонные полупроводники GaN и AlGaN – очень удобные материалы для<br /> разработки светодиодов и фотодетекторов ультрафиолетового спектрального диапазона,<br /> транзисторов с высокой подвижностью электронов, резонансно туннельных диодов. Изменяя<br /> содержание Al в твердых растворах AlGaN, можно получать материал с шириной<br /> запрещенной зоны от 3,43 до 6,2 эВ, покрывая, таким образом, спектральный диапазон 200–<br /> 187<br /> 365 нм. В процессе роста AlGaN-слоев методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) из<br /> аммиака в качестве источника легирования традиционно используется кремний. Примесь<br /> кремния, однако, сложным образом воздействует на свойства выращенных слоев. Целью<br /> работы было исследование влияния кремния на морфологию поверхности, структурные,<br /> электрические и люминесцентные свойства слоев AlGaN.<br /> </p>