Исследование термоэлектрических свойств материалов p-типа проводимости на основе твердых растворов Mg2Si-Mg2Sn показывает, что максимальная термоэлектрическая добротность, достигаемая на этих материалах, не превышает 0.5, что недостаточно для практического применения. Увеличение термоэлектрической добротности возможно используя два подхода: модификация энергетического спектра для увеличения параметра мощности и снижения теплопроводности, стоящей в знаменателе выражения для ZT. Снижение теплопроводности в твердых растворах в основном обусловлено чередованием атомов Si и Sn в кристаллической решетке. Чем больше разница в массах атомов, тем сильнее снижается теплопроводность. Внедрение дополнительных атомов также должно сказаться на теплопроводности материала.