Материалы для фотоприемников на межподзонных переходах в GaN/AlGaN- квантовых точках
Аннотация:
Электронные состояния и оптические свойства плотного упорядоченного массива квантовых точек (КТ) на основе кристаллов GaN и AlN вюртцитной (w) структуры исследованы методом псевдопотенциала с точным учетом гексагональной симметрии, деформаций и внутренних электрических полей. Показано, что в центре зоны Бриллюэна сверхрешетки из КТ минимум первой электронной минизоны происходит из состояния центральной долины Γ1зоны проводимости бинарных кристаллов, а вышележащие уровни связаны с состояниями боковых долин U и окрестности долины Γ. Первый пик поглощения света, поляризованного в базальной плоскости e¡c, связан с переходами с нижнего уровня с симметрией Γ1в квантовой Γ яме на два близких уровня с симметрией Γ3. Поглощение света с поляризацией, параллельной гексагональной оси e||c, более слабое, пик сдвинут в сторону бо′льших энергий. Благодаря этому массив малых КТGaN может быть использован в инфракрасных фотоприемниках при фронтальном падении света. Предложена и развита технология получения массивов КТ малых размеров с высокой плотностью.
Ключевые слова:
Постоянный URL
Статьи в номере
- Матричные микроболометрические приемники для инфракрасного и терагерцового диапазонов
- Матричные фотоприемные устройства инжекционного типа на основе легированных теллуридов свинца и олова: возможности и перспективы
- Семейство крупноформатных линейных фоточувствительных приборов с зарядовой связью с разрешением 38,5 пар лин/мм
- Фотоприемник длинноволнового инфракрасного диапазона с аналоговым режимом временной задержки и накопления
- Линейчатый фотоприемник формата 288×4 с двунаправленным режимом временной задержки и накопления
- Матричные фотоприемники 320×256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтром
- Сравнение токовых характеристик фотодиодов, сформированных на пленках CdHgTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии, для спектрального диапазона 8–12 мкм
- Долговременная стабильность фоторезисторов спектрального диапазона 8–12 мкм, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Исследование процессов формирования инфракрасного фотоприемника на основе CdHgTe в монолитном исполнении
- Технология сборки крупноформатных инфракрасных фотоприёмных модулей на индиевых микростолбах
- Наноструктуры на основе CdHgTe для фотоприемников
- Способ формирования единого информационного поля в приборе наблюдения
- Использование сегментации для автоматизация дешифрирования многоспектральных изображений