Статья ЭЛЛИПСОМЕТРИЧЕСКИЙ КОНТРОЛЬ ПАРАМЕТРОВ ВЫРАЩИВАЕМЫХ НАНОРАЗМЕРНЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР Швец В. А., Рыхлицкий С. В., Спесивцев Е. В., Михайлов Н. Н.
Статья Сравнение токовых характеристик фотодиодов, сформированных на пленках CdHgTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии, для спектрального диапазона 8–12 мкм Андреева Е.В., Варавин В.С., Васильев В.В., Гуменюк-Сычевская Ж.В., Дворецкий С.А., Михайлов Н. Н., Цибрий З.Ф., Сизов Ф.Ф.
Статья Исследование процессов формирования инфракрасного фотоприемника на основе CdHgTe в монолитном исполнении Якушев М.В., Васильев В.В., Дегтярев Е.В., Дворецкий С.А., Козлов А.И., Новоселов А.Р., Фомин Б.И., Асеев А.Л.
Статья Наноструктуры на основе CdHgTe для фотоприемников Дворецкий С.А., Квон З.Д., Михайлов Н. Н., Швец В. А., Виттман Б., Данилов С.Н., Ганичев С.Д., Асеев А.Л.
Статья Материалы для фотоприемников на межподзонных переходах в GaN/AlGaN- квантовых точках Журавлев К.С., Мансуров В.Г., Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф., Тронц П.