Наноструктуры на основе CdHgTe для фотоприемников
Аннотация:
Приведены результаты выращивания квантовых ям на основе HgTe(HgTe/ Cd0,735Hg0,265 Te) толщиной 16,2 и 21 нм на подложках (013) CdTe/ZnTe/GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Контроль состава, толщин спейсера и квантовой ямы проводился с помощью эллипсометрической методики в процессе роста. Гальваномагнитные исследования в широком диапазоне магнитных полей (1–12 Тл) при температурах вблизи температуры жидкого гелия (4,2 К) показали присутствие двумерного электронного газа в наноструктурах и квантование уровней. Были получены высокие подвижности двумерного электронного газа μe= 2×105см2/(В•с) и μe = 5×105см2/(В с) для плотности электроновNs = 1,5×1011 см–2 и Ns = 3,5×1011 см–2 соответственно. Проведено исследование циркулярного и линейного фотогальванического эффекта в кван-товых ямах при комнатной температуре в широком интервале длин волн: от среднего инфракрасного (6–16 мкм) до терагерцового (100–500 мкм).
Ключевые слова:
Постоянный URL
Статьи в номере
- Матричные микроболометрические приемники для инфракрасного и терагерцового диапазонов
- Матричные фотоприемные устройства инжекционного типа на основе легированных теллуридов свинца и олова: возможности и перспективы
- Семейство крупноформатных линейных фоточувствительных приборов с зарядовой связью с разрешением 38,5 пар лин/мм
- Фотоприемник длинноволнового инфракрасного диапазона с аналоговым режимом временной задержки и накопления
- Линейчатый фотоприемник формата 288×4 с двунаправленным режимом временной задержки и накопления
- Матричные фотоприемники 320×256 со встроенным коротковолновым отрезающим фильтром
- Сравнение токовых характеристик фотодиодов, сформированных на пленках CdHgTe, выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии, для спектрального диапазона 8–12 мкм
- Долговременная стабильность фоторезисторов спектрального диапазона 8–12 мкм, изготовленных из гетероэпитаксиальных структур CdHgTe, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Исследование процессов формирования инфракрасного фотоприемника на основе CdHgTe в монолитном исполнении
- Технология сборки крупноформатных инфракрасных фотоприёмных модулей на индиевых микростолбах
- Материалы для фотоприемников на межподзонных переходах в GaN/AlGaN- квантовых точках
- Способ формирования единого информационного поля в приборе наблюдения
- Использование сегментации для автоматизация дешифрирования многоспектральных изображений