Например, Бобцов

СТАЦИОНАРНЫЕ РЕЖИМЫ УСИЛЕНИЯ БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

Аннотация:

Рассматривается решение краевой задачи, корректно отражающей стационарные режимы усиления р—п—р- и п—р—п-биполярных транзисторов в широких диапазонах изменения плотности коллекторного тока. Получены выраже ния коэффициентов усиления по току, а также коэффициентов инжекции, пере носа и передачи неосновных носителей заряда при высоких уровнях инжекции в базовых областях биполярного транзистора. Рассмотрены основные физиче ские механизмы, определяющие как рост, так и уменьшение коэффициента усиления при увеличении тока коллектора от минимально возможных значений до максимально допустимых. Приведен сравнительный анализ теоретических и экспериментальных результатов.

Ключевые слова:

Постоянный URL

Статьи в номере

Содержание © 1993–2026 Университет ИТМО
Разработка © 2015 Университет ИТМО