Например, Бобцов

ИСПОЛЬЗОВАНИЕ АЛГОРИТМА «ИМИТАЦИИ ОТЖИГА» ДЛЯ ОПТИМИЗАЦИИ ПАРАМЕТРОВ ИСТОЧНИКА ОСВЕЩЕНИЯ ФОТОЛИТОГРАФИЧЕСКОЙ УСТАНОВКИ

Аннотация:

Предмет исследования. Рассмотрены методы повышения разрешающей способности, стабильности и повторяемости фотолитографического процесса с применением источника освещения сложной формы. Показаны пути оптимизации формы источника освещения фотолитографической установки для использования с конкретными масками или группами масок.Методы. Для оптимизации «имитации отжига» применен стохастический алгоритм для периодических масок с различным периодом. В качестве оценочных функций оптимизации использованы контраст периодических масок с различным периодом (включая «запрещенный»), а также площадь эллиптического окна процессов фотолитографической установки. Исследования выполнены с использованием программы Sentaurus Lithography (Synopsys Inc). Основные результаты. В качестве примера показан процесс оптимизации масок с периодом 150–300 нм при длине волны 193 нм и апертуре оптической системы 0,93. Рассмотрен случай работы алгоритма оптимизации при добавлении различных значений расфокусировки и дозы экспозиции. Показано, что предложенный способ оптимизации формы источника освещения позволяет повысить контраст для масок различного периода, а также площадь окна процессов фотолитографической установки. Исследование сходимости алгоритма показало, что для оптимизации источника с заданной маской периодом 600–800 нм достаточно 100 итераций, а дальнейшее увеличение количества итераций не приводит к увеличению контраста. Практическая значимость. Предложенный алгоритм может быть использован в качестве замены более сложным алгоритмам оптимизации источника с целью уменьшения минимального размера элемента и повышения стабильности процесса. Алгоритм обладает высокой сходимостью.

Ключевые слова:

Статьи в номере