Например, Бобцов

КРЕМНИЕВЫЕ ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ УМНОЖИТЕЛИ КАК ОСНОВА ДЛЯ СОЗДАНИЯ КОМБИНИРОВАННЫХ ДАТЧИКОВ

Аннотация:

Проанализирована возможность построения комбинированных датчиков на основе кремниевых фотоэлектронных умножителей. Исследовано влияние температуры и напряжения питания кремниевых фотоэлектронных умножителей (Si-ФЭУ) на изменение темнового тока, чувствительности к оптическому излучению и критической освещенности. Предложена установка для проведения исследований. В качестве объектов изучения использованы опытные образцы фотоэлектронных умножителей со структурой p+-p-n+ производства ОАО „Интеграл“ (Республика Беларусь), а также серийно выпускаемые кремниевые фотоэлектронные умножители Кетек РМ 3325 и ON Semi FC 30035. Показано, что зависимость темнового тока от температуры для этих Si-ФЭУ имеет линейный вид. Установлено, что увеличение температуры приводит к уменьшению чувствительности кремниевых фотоэлектронных умножителей к оптическому излучению. Показано, что с ростом температуры значение критической освещенности Si-ФЭУ увеличивается. С учетом результатов исследований предложена структура комбинированного датчика на основе кремниевого фотоэлектронного умножителя, который позволяет одновременно контролировать два параметра: температуру и освещенность. Определены основные характеристики датчика.

Ключевые слова:

Постоянный URL

Статьи в номере

Содержание © 1993–2024 Университет ИТМО
Разработка © 2015 Университет ИТМО