Журнал
Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики
УДК:
Номер:9 (32)
Скачать PDF0 Кбайт
В работе приводятся результаты исследования влияния гамма-излучения на зарядовые характеристики структур Si-SiO2 с поликремниевым полевым электродом при облучении под напряжением смещения. Показано, что характер радиационной деградации образцов является различным для отрицательной и положительной полярностей смещения. Обсуждаются механизмы, обуславливающие изменение зарядо- вых свойств экспериментальных структур, при облучении под напряжением.