Например, Бобцов

Деградация структур Si-SiO2 с поликремниевым затвором при гамма-облучении в зависимости от напряжения смещения

Аннотация:

  В работе приводятся результаты исследования влияния гамма-излучения на зарядовые характеристики структур Si-SiO2 с поликремниевым полевым электродом при облучении под напряжением смещения. Показано, что характер радиационной деградации образцов является различным для отрицательной и положительной полярностей смещения. Обсуждаются механизмы, обуславливающие изменение зарядо- вых свойств экспериментальных структур, при облучении под напряжением.

Ключевые слова:

Статьи в номере