Абляция диэлектриков под действием коротких импульсов рентгеновских плазменных лазеров и лазеров на свободных электронах
Аннотация:
Проведено экспериментальное и теоретическое исследование абляции твердого диэлектрика с широкой запрещенной зоной (LIF) под действием ультракоротких лазерных импульсов ультрафиолетового диапазона, полученных в лазере на свободных электронах (длительность импульса τL=0 3 пс, энергия фотона ħωL= 20,2 эВ), и мягкого рентгеновского диапазона, полученных в лазере на плазме серебра (τL= 7 пс, ħωL= 89,3 эВ). Проведено сравнение результатов, полученных на обеих лазерных установках. Показано, что порог абляции для обоих лазеров примерно одинаков. Представлена теория, которая объясняет слабый рост абляционной массы с ростом поверхностной плотности энергии лазерного излучения (флюенса) в случае рентгеновских лазеров как результат перехода от откольной абляции вблизи абляционного порога к испарительной абляции при больших значениях флюенса.
Ключевые слова:
Постоянный URL
Статьи в номере
- Предисловие выпускающего редактора
- Гетерогенная лазерная абляция и ее влияние на формирование приповерхностной плазмы при воздействии импульсного лазерного излучения
- Влияние эмиссии электронов на нагрев металлов фемтосекундными лазерными импульсами
- Эффекты неравновесности при воздействии импульсного лазерного излучения на металлы
- Модификация диэлектрической поверхности при лазерно-индуцированном кулоновском взрыве наночастицы
- Оптические методы формирования металлических наноструктур на поверхности диэлектрических материалов
- Исследование нанокластеров и микроструктур, возникающих на поверхности силикатов при резонансном воздействии излучения СО2-лазера
- Исследование низкопороговых механизмов модификации структуры тонких пленок хрома под действием сверхкоротких лазерных импульсов
- Резонансное диффузное отражение света от статистическишероховатых интерфейсов фотонных кристаллов
- Изменения равновесного компонентного состава и пространственной ориентации молекулярного слоя полиметиновых красителей
- Сравнительный анализ оптоакустических импульсов в алюминии и кремнии
- Индуцированное ультрафиолетовым излучением изменение оптических свойств диэлектриков в инфракрасном диапазоне
- Рассеяние света малыми осесимметричными частицами с использованием обобщенного метода разделения переменных со сферическим базисом
- Дифракция однопериодных терагерцовых электромагнитных волн
- Динамика диэлектрической проницаемости полупроводника при фемтосекундном лазерном воздействии
- Учебное пособие “Теоретические основы оптико-электронных приборов”