Например, Бобцов

Предельные возможности интерференционной фотолитографии, реализуемой в видимой области спектра на тонких слоях халькогенидного стеклообразного полупроводника

Аннотация:

Приведены результаты исследования параметров структур (минимального периода следования элементов и скважности), получаемых под действием излучения аргонового лазера на тонких пленках халькогенидного стеклообразного полупроводника, нанесенных на слои рентгеноаморфного хрома. Показано, что экспонируемые излучением с длиной волны 0,488 мкм тонкие пленки трехкомпонентного стеклообразного полупроводника могут быть использованы в методе интерференционной фотолитографии для получения структур с минимальным периодом 260 нм и минимальным размером элемента структуры 65 нм. Установлена возможность уменьшения минимального размера элемента структуры до 50 нм при увеличении периода следования элементов до 600 нм за счет использования “двухмасочной” технологии интерференционной фотолитографии.

Читать текст статьи

Ключевые слова:

Статьи в номере