Например, Бобцов

ИССЛЕДОВАНИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ В УСЛОВИЯХ СТРУЙНОГО ДИАФРАГМЕННОГО РАЗРЯДА В ВАКУУМЕ

Аннотация:

Описан способ получения тонких слоев материала путем ионного легирования пред- варительно очищенной подложки в условиях струйного диафрагменного разряда в вакууме в магнитогазодинамическом режиме с электромагнитным способом ускорения полученных продуктов разряда. В качестве примера рассмотрена имплантация ионов углерода и фтора в поверхностный слой подложки из монокристаллического кремния с энергией ионов Еi = 37,4 кэВ. На основании анализа рентгеноэлектронных спектров показано, что легированный слой содержит помимо химических элементов из состава материала подложки (кремний Si 2p с энергией связи 99,5 эВ) химические элементы из плазмообразующего материала диафрагмы (углерод С 1s с энергией связи 285 эВ и фтор F 1s c энергией связи 686 эВ) с плавным уменьшением их атомной концентрации при увеличении расстояния от поверхности.

Читать текст статьи

Ключевые слова:

Статьи в номере