Проведено исследование оптических и, в частности, фотолюминесцентных свойств слоев пористого кремния, полученного на кристаллическом кремнии р-типа (100) методом анодного травления. Затем в результате анодного окисления были получены образцы со значениями поверхностных потенциалов 0,9, 1,1, 1,2, 1,3 и 1,5 В. Установ- лено, что интенсивность фотолюминесценции образца с поверхностным потенциалом 1,3 В максимальна по сравнению со всеми другими образцами и в 12 раз выше, чем у образца с поверхностным потенциалом 0,9 В. Методом оптической спектроскопии ис- следовалась зависимость интенсивности фотолюминесценции образцов от структуры поверхностных связей. Показано, что сильный рост фотолюминесценции обусловлен фотостимулированной перестройкой на поверхности образцов анодно-окисленного пористого кремния.