Статья Формирование толстого слоя ε-Ga2O3 на подслое GaN с V-дефектами на границе раздела Иванов А. Ю., Шарофидинов Ш. Ш., Панов Д. Ю., Кремлева А. В., Бауман Д. А., Романов А. Е.