Статья Влияние скорости эпитаксиального роста сильно напряженных квантовых ям InGaAs на фотолюминесценцию гетероструктур на подложках GaAs Папылев Д. С., Бабичев А. В., Гладышев А. Г., Карачинский Л. Я., Андрюшкин В. В., Новиков И. И., Ефимов А. О., Егоров А. Ю., Надточий А. М.