Журнал
ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ «ПРИБОРОСТРОЕНИЕ»
УДК:621.315.592: 536.717: 537.33
Номер:6 (52)
Скачать PDF486 Кбайт
Приведены результаты по исследованию и разработке аппаратурных средств и методик эллипсометрического контроля in situ параметров гетероструктур, выращиваемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии, на основе тройного соединения CdxHg1-xTe. Представлены экспериментальные результаты и модельные расчеты, которые демонстрируют возможность контролируемо выра- щивать наноструктуры, сформированные из однородных по составу слоев, а также с заранее заданным распределением состава по толщине растущего слоя.