Например, Бобцов

Эффективная масса тяжелых дырок в бесщелевых полупроводниках HgSe , CdxHg1-xTe и HgTe при комнатных температурах

Аннотация:

Для исследования электрофизических свойств поверхности и приповерхностной области бесщелевых полупроводников HgSe, CdxHg1-xTe (х = 0.03–0.05) и HgTe при комнатной температуре использован метод эффекта поля в электролитах. Определена эффективная масса тяжелых дырок для этих соединений. Проведено сопоставление экспериментальных и теоретически рассчитанных вольт-фарадных характеристик.

Ключевые слова:

Статьи в номере