Например, Бобцов

Влияние электрофизических параметров кремниевой подложки на гистерезис вольт-фарадных характеристик МОП-структур

Аннотация:

  В работе приведены результаты исследования гистерезиса ВФХ структур металл-окисел-полупроводник. Показано, что свойства гистерезиса ВФХ, возникающего при облучении МОП-структур, определяются типом проводимости подложки и его удельным сопротивлением и обусловлены процессами захвата носителей заряда из разрешенных энергетических зон кремния на ловушечные центры в окисле.

Ключевые слова:

Статьи в номере